29 декември 2016 17:58, прочетено 873

Qualcomm ще представи Snapdragon 835 официално по време на CES

В средата на ноември Qualcomm разкри първите подробности за своя следващ флагмански чипсет Snapdragon 835, но не се впусна в много технически детайли за него. Компанията посочи, че ще поддържа технологията за бързо зареждане Quick Charge 4.0, и сподели, че той ще се произвежда от Samsung по 10-нанометровата FinFET технология на компанията. Qualcomm обеща, че новият процесор ще е по-малък и ще осигури по-висока производителност при по-ниска консумация на енергия, което по принцип важи за всеки нов чип по подобрена производствена технология (Snapdragon 820 например се прави по 14-нанометров процес).

Американците явно са готови с по-подробно представяне на чипсета и се канят да го направят през следващата седмица в рамките на изложението за потребителска електроника CES, което по традиция се провежда в Лас Вегас. Надяваме се, че тогава ще знаем повече подробности за техническата конфигурация и за възможностите на използвания графичен ускорител. Вече знаем, че Quick Charge 4.0 е с 20% по-бърза и с 30% по-ефективна спрямо Quick Charge 3.0, а зареждане от 5 минути може да осигури енергия за 5 часа на употреба. Компанията посочва, че температурата на устройството остава с до 5 градуса по-ниска, а от 0 до 50% зареждането става за 15 минути.

Може да ви е интересно и това:

Корейски регулатор наложи на Qualcomm глоба за 854 милиона долара | 
TSMC се готви за производството на 3-нанометрови чипове | 
Windows 10 ще поддържа напълно ARM чрез партньорство с Qualcomm | 
Появиха се детайли за характеристиките на Snapdragon 835 и 660 | 
Apple ограничава скоростта на изтегляне в една от версиите на iPhone 7 | 

Тагове:
Qualcomm | 
snapdragon 835 | 
quick charge | 

Коментари: 1 |
Твоят коментар
 | Всички коментари

Автор: Dubspace
, 29 декември 2016 22:46
Отговор

Нямам търпение да видя първия телефон с този процесор. За тези, които се интересуват от модема, който ще е в процесора – ще се използва X16 модема. Ето и спецификации.

Data Features:
LTE Category
LTE Category 16 (downlink)
LTE Category 13 (uplink)

Downlink Features:
4×20 MHz conduit assembly (Пример: 700+800+1800+2600 MHz)
Up to 256-QAM (Ако е 3xCA, 256 QAM ще има на всички 3 агрегирани band-а)
Up to 4×4 MIMO on dual carriers
Maximum 10 spatial streams

Uplink Features:
Qualcomm® Snapdragon™ Upload+
2×20 MHz conduit aggregation
Up to 2x 75Mbps LTE streams (ще може да се агрегира upload-а от два band-а)
Up to 64-QAM (до 75 Mbps от един band)
Uplink information compression

Peak Download Speed:
1 Gbps

Peak Upload Speed:
150 Mbps

Cellular:
Supported Cellular Technologies:
LTE FDD
LTE TDD
LTE-U
LAA
LTE Broadcast
WCDMA (DB-DC-HSDPA, DC-HSUPA)
TD-SCDMA
CDMA 1x
EV-DO
GSM/EDGE
Telephony Features

Multi SIM:
LTE Dual SIM Dual Active
LTE Dual SIM Dual Standby
Next-generation Calling Services
VoLTE with SRVCC to 3G and 2G
HD and Ultra HD Voice (EVS)
CSFB to 3G and 2G

Article source: http://www.mobilebulgaria.com/news/39315/qualcomm-ще-представи-snapdragon-835-официално-по-време-на-ces